Pamięć RAM 32GB DDR5-5600 ECC Registered CL46 288-pin DIMM

Przeznaczenie i funkcja

Pamięć RAM przeznaczona do instalacji w komputerach stacjonarnych i serwerach, oferująca pojedynczy moduł 32 GB DDR5 o przeznaczeniu do pracy w konfiguracjach wymagających korekcji błędów (ECC) oraz buforowania (Registered). Moduł służy do zwiększenia pojemności pamięci operacyjnej systemów obsługujących 288-pinowe moduły DIMM.

Wydajność i opóźnienia

Moduł pracuje z efektywną prędkością 5600 MT/s przy napięciu zasilania 1,1 V, z opóźnieniem CAS równym CL46. Taka kombinacja parametrów sprawdza się w zastosowaniach, w których liczy się zarówno transfer danych, jak i stabilność pracy przy dużych obciążeniach pamięciowych. Obecność profilu SPD ułatwia prawidłową obsługę ustawień częstotliwości i timingu przez obsługujący system.

Niezawodność i korekcja błędów

Moduł jest wyposażony w mechanizmy korekcji błędów ECC oraz funkcje On-Die ECC, zapewniające wykrywanie i korekcję pojedynczych błędów pamięci w czasie rzeczywistym. Typ buforowania Registered (buffered) zwiększa stabilność pracy w systemach wielomodulowych, co jest szczególnie istotne w środowiskach serwerowych i stacjonarnych konfiguracjach o dużej gęstości pamięci.

Budowa i kompatybilność

Fizycznie moduł to 288-pinowy DIMM o układzie 4096M x 80 i rankingu 2R (2‑rank). Styki pokryte są złotem, a moduł wyposażono w radiator poprawiający rozpraszanie ciepła podczas pracy. Moduł jest zgodny ze standardami JEDEC i przeznaczony do płyt oraz procesorów obsługujących DDR5 ECC Registered DIMM; przed instalacją należy upewnić się, że płyta główna i kontroler pamięci wspierają moduły z buforowaniem i ECC.

Wymiary i warunki pracy

Wymiary modułu to około 133,3 mm szerokości i 31,2 mm wysokości, co odpowiada typowym wymiarom modułów DIMM z radiatorem. Moduł został zaprojektowany do pracy w zakresie temperatur 0–95 °C. Dodatkowe parametry zasilania obejmują programowalne napięcie VPP 1,8 V wykorzystywane przez układy pamięci.

Specyfikacja

• Opóźnienie CAS: CL46
• Ranking pamięci: 2 (2R)
• Napięcie pamięci: 1.1 V