Samsung 9100 PRO Heatsink 2TB M.2 PCIe 5.0 NVMe

Cena: 2 382,99 zł
Brutto
Dostępność produktu: Dostępny 30 szt.
Czas dostawy Wysyłka w ciągu 3 dni roboczych
Koszt dostawy Bezpłatna dostawa od 250 zł.

Opis produktu

Samsung 9100 PRO Heatsink to wewnętrzny dysk SSD w formacie M.2 2280 zaprojektowany z myślą o bardzo szybkich transferach danych dzięki interfejsowi PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0). Model o pojemności 2 TB oferuje ekstremalną prędkość zapisu do 13 400 MB/s i wysoką wydajność przy operacjach losowych, co przekłada się na krótsze czasy zapisu i szybsze przetwarzanie dużych plików.

Nośnik wykorzystuje pamięć V‑NAND TLC oraz zaawansowane mechanizmy zarządzania danymi i energią, a sprzętowe szyfrowanie AES‑256 z obsługą TCG Opal zapewnia ochronę danych. Dysk wspiera funkcje S.M.A.R.T. i TRIM, a jego trwałość deklarowana jest wartością TBW na poziomie 1200 TBW oraz średnim czasem międzyawariami (MTBF) 1 500 000 godzin.

Model wyposażono w zintegrowany radiator poprawiający odprowadzanie ciepła, co ułatwia stosowanie w komputerach stacjonarnych, wybranych laptopach oraz kompatybilnych konsolach. Dysk cechuje też zoptymalizowane zarządzanie energią z niskim poborem w stanie bezczynnym i trybem DevSlp, co pomaga ograniczyć zużycie energii podczas spoczynku.

Specyfikacja

  • Producent: Samsung
  • Model: 9100 PRO Heatsink (MZ-VAP2T0)
  • Pojemność: 2 TB
  • Format dysku: M.2 2280
  • Interfejs: PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0)
  • Typ pamięci: V-NAND TLC
  • Prędkość zapisu (max): 13400 MB/s
  • Losowy zapis (4KB): 2600000 IOPS
  • Szyfrowanie: AES 256-bit, TCG Opal
  • TBW: 1200 TBW
  • MTBF: 1500000 h
  • Wsparcie TRIM: Tak
  • Wsparcie S.M.A.R.T.: Tak
  • Radiator: Zintegrowany
  • Pobór mocy (odczyt): 8.1 W
  • Pobór mocy (zapis): 7.9 W
  • Pobór mocy (bezczynny): 0.005 W
  • DevSlp (uśpienie): 4 mW
  • Waga: 30 g
  • Przeznaczenie: PC, kompatybilne konsole, edycja wideo, gry
  • NVMe wersja: 2.0

Szczegóły produktu

  • Marka Samsung
  • Kod produktu 67e4b45b95ee385de3768a54
  • Dostępność 30 Przedmioty
  • EAN13 8806095811666
  • MPN MZ-VAP2T0CW

Specyfikacja

  • Pojemność nośnika (GB) 2000 GB
  • Format dysku M.2
  • Interfejs dysku PCIe 5.0
  • Długość modułu M.2 (mm) 80 mm
  • Prędkość odczytu (MB/s) 14700 MB/s
  • Prędkość zapisu (MB/s) 13400 MB/s
  • Typ pamięci flash V-NAND TLC

Producent

Producent

SAMSUNG

PO Box 12987 D01F5P Dublin Ireland

Formularz kontaktowy: https://www.samsung.com/pl/support/

Bezpieczeństwo

Informacje o bezpieczeństwie

Produkt przeznaczony do przechowywania i szybkiego transferu danych w komputerach stacjonarnych oraz kompatybilnych konsolach. - Przed montażem wyłączyć zasilanie urządzenia i odłączyć zasilacz; zachować ostrożność względem ładunków elektrostatycznych, stosując opaskę antystatyczną lub rozładowując ładunki. - Nie dotykać styków złoconych i elementów elektronicznych palcami; zużycie lub zabrudzenie styków może prowadzić do uszkodzenia lub problemów z połączeniem. - Montować wyłącznie w gnieździe M.2 o właściwym rozmiarze i umocować śrubką; nie zginać płytki i nie stosować nadmiernej siły przy instalacji. - Radiator podczas intensywnej pracy może osiągać wysoką temperaturę; zapewnić odpowiednią wentylację obudowy i unikać bezpośredniego kontaktu przez dłuższy czas. - Przechowywać i używać urządzenia w zalecanym zakresie temperatur (0 - 70 °C); unikać wilgoci, zalania i ekspozycji na skrajne warunki środowiskowe. - Nie demontować ani nie próbować napraw sprzętu samodzielnie; ingerencja wewnętrzna może spowodować uszkodzenie oraz utratę danych. - Przed każdą operacją serwisową lub przeniesieniem danych wykonać kopię zapasową ważnych informacji, aby zapobiec utracie danych.

Ładowanie...
Wróć na górę