Kingston KVR16S11S8/4 4GB 1600MHz DDR3 CL11 SODIMM
Opis produktu
Kingston KVR16S11S8/4 to moduł pamięci DDR3 o pojemności 4 GB w formacie SO‑DIMM przeznaczony do komputerów przenośnych. Moduł pracuje z przepustowością odpowiadającą standardowi PC3‑12800 (1600 MT/s) i charakteryzuje się opóźnieniem CAS CL11.
Moduł jest niebuforowany i pozbawiony korekcji błędów (Non‑ECC), pracuje przy napięciu 1,5 V i ma jednostronną organizację układów (512M x 64, x8). Złącze pokryte jest złotem, co poprawia niezawodność styku i wymianę sygnału.
Kompaktowy format SO‑DIMM (204 pin) oraz standardowe wymiary sprawiają, że moduł nadaje się do typowych laptopów i systemów wymagających pamięci DDR3 SODIMM. Konstrukcja zgodna z branżowymi specyfikacjami ułatwia montaż w zgodnych gniazdach pamięci.
Specyfikacja
- Marka: Kingston
- Model: KVR16S11S8/4
- Pojemność: 4 GB
- Typ pamięci: DDR3 SDRAM
- Format: SO-DIMM
- Liczba pinów: 204-pin
- Prędkość transferu: 1600 MT/s
- Standard: PC3-12800
- CAS Latency: CL11
- ECC: Brak
- Buforowana: Niebuforowana (unregistered)
- Napięcie: 1.5 V
- Konfiguracja modułu: 512M x 64
- Organizacja układów: x8
- Ilość modułów: 1 x 4 GB
- Powłoka łączówki: Złoto
- Przeznaczenie: Laptop
- Szerokość: 67.6 mm
- Wysokość: 30 mm
- Temperatura pracy: 0 - 85 °C
- Temperatura przechowywania: -55 - 100 °C
Szczegóły produktu
- Marka Kingston
- Kod produktu 660fb8bf71a267703cab5ae7
- Dostępność 49 Przedmioty
- EAN13 0740617207781
- MPN KVR16S11S8/4
Specyfikacja
- Typ pamięci RAM DDR3
- Opóźnienie CAS CL11
- Pojemność zestawu RAM (GB) 4 GB
- Format modułu RAM SO-DIMM
- Taktowanie efektywne RAM (MT/s) 1600 MT/s
- Pojemność jednego modułu (GB) 4 GB
- Liczba modułów (szt.) 1 szt.
- ECC Nie
- Napięcie pamięci (V) 1,5 V
Producent
Producent
Kingston Technology International Ltd
Blanchardstown Road North D15 PEC4 Dublin Irlandia
E-mail: customerservice@kingston.eu
Bezpieczeństwo
Informacje o bezpieczeństwie
Przeznaczenie: Moduł pamięci RAM do komputerów przenośnych (SO-DIMM) służący do rozszerzania pamięci operacyjnej. - Przed montażem zawsze wyłącz zasilanie i odłącz akumulator urządzenia, aby uniknąć uszkodzenia elektrycznego. - Unikaj wyładowań elektrostatycznych: przed kontaktem z modułem dotknij uziemionego elementu lub użyj opaski antystatycznej. - Nie dotykaj złotych styków ani elementów scalonych; dotknięcie może spowodować korozję lub utratę kontaktu. - Nie wyginaj i nie nadmiernie naciskaj modułu podczas instalacji; mechaniczne uszkodzenie płytki może unieruchomić pamięć. - Montuj moduł zgodnie z kierunkiem i pozycją gniazda; forsowanie może uszkodzić zarówno moduł, jak i gniazdo. - Chronić przed wilgocią, kurzem i wysoką temperaturą; ekspozycja na warunki ekstremalne może spowodować trwałe uszkodzenie.
Pamięć RAM do laptopów
Ostatnio oglądane
Produkty, które ostatnio zwróciły Twoją uwagę.